RQ3E120GNTB
Producentens produktnummer:

RQ3E120GNTB

Product Overview

Producent:

Rohm Semiconductor

Delnummer:

RQ3E120GNTB-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 2W (Ta), 16W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Lager:

11286 Stk Nye Originaler På Lager
13527396
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

RQ3E120GNTB Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
30 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
590 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
2W (Ta), 16W (Tc)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
8-HSMT (3.2x3)
Pakke / etui
8-PowerVDFN
Basis produktnummer
RQ3E120

Datablad og dokumenter

Datablade
RQ3E120GNTB HSMT8 TB Taping Spec

Yderligere Information

Standard pakke
3,000
Andre navne
RQ3E120GNTBTR
RQ3E120GNTBCT
RQ3E120GNTBDKR

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
rohm-semi

RQ3E110AJTB

MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT

rohm-semi

RF6E065BNTCR

MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6

rohm-semi

RQ6E050AJTCR

MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6

rohm-semi

RCX160N20

MOSFET N-CH 200V 16A TO220FM