Producentens produktnummer:
RDN120N25
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Delnummer:
RDN120N25-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 250V 12A TO220FN
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 250 V 12A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FN
Lager:
13527520
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
RDN120N25 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
ROHM Semiconductor
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
250 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 1mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1224 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
40W (Tc)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220FN
Pakke / etui
TO-220-3 Full Pack
Basis produktnummer
RDN120
Yderligere Information
Standard pakke
500
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DIGI-certificering
Relaterede produkter
R5013ANXFU6
MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM
RHK005N03T146
MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
R6006ANX
MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
