RD3L03BBGTL1
Producentens produktnummer:

RD3L03BBGTL1

Product Overview

Producent:

Rohm Semiconductor

Delnummer:

RD3L03BBGTL1-DG

Beskrivelse:

NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 60 V 35A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252

Lager:

2113 Stk Nye Originaler På Lager
12990018
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

RD3L03BBGTL1 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
60 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.3mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
970 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
50W (Tc)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
TO-252
Pakke / etui
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis produktnummer
RD3L03

Datablad og dokumenter

Datablade

Yderligere Information

Standard pakke
2,500
Andre navne
846-RD3L03BBGTL1CT
846-RD3L03BBGTL1TR
846-RD3L03BBGTL1DKR

Miljø- og eksportklassificering

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
diodes

DMTH45M5LPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

diodes

DMTH45M5SPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

unitedsic

UJ4SC075011B7S

750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6K810R,LF

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10