Producentens produktnummer:
R8006KNXC7G
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Delnummer:
R8006KNXC7G-DG
Beskrivelse:
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 800 V 6A (Ta) 52W (Tc) Through Hole TO-220FM
Lager:
790 Stk Nye Originaler På Lager
12996117
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
R8006KNXC7G Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
800 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 4mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
650 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
52W (Tc)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220FM
Pakke / etui
TO-220-3 Full Pack
Basis produktnummer
R8006
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
1,000
Andre navne
846-R8006KNXC7GTR
846-R8006KNXC7GDKRINACTIVE
846-R8006KNXC7GDKR-DG
846-R8006KNXC7GCT
846-R8006KNXC7GDKR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
CSD18563Q5A-P
60-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
CSD16323Q3T
PROTOTYPE
AOK065V65X2
MOSFET N-CH 650V 40.3A TO247
