Producentens produktnummer:
R6061YNXC7G
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Delnummer:
R6061YNXC7G-DG
Beskrivelse:
NCH 600V 26A, TO-220FM, POWER MO
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220FM
Lager:
1000 Stk Nye Originaler På Lager
13238773
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
R6061YNXC7G Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
ROHM Semiconductor
Emballage
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
600 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V, 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 13A, 12V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
6V @ 3.5mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
3700 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
100W (Tc)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220FM
Pakke / etui
TO-220-3 Full Pack
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
50
Andre navne
846-R6061YNXC7G
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
DIGI-certificering
Relaterede produkter
