R6061YNXC7G
Producentens produktnummer:

R6061YNXC7G

Product Overview

Producent:

Rohm Semiconductor

Delnummer:

R6061YNXC7G-DG

Beskrivelse:

NCH 600V 26A, TO-220FM, POWER MO
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220FM

Lager:

1000 Stk Nye Originaler På Lager
13238773
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

R6061YNXC7G Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
ROHM Semiconductor
Emballage
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
600 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V, 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 13A, 12V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
6V @ 3.5mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
3700 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
100W (Tc)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220FM
Pakke / etui
TO-220-3 Full Pack

Datablad og dokumenter

Datablade

Yderligere Information

Standard pakke
50
Andre navne
846-R6061YNXC7G

Miljø- og eksportklassificering

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
DIGI-certificering
Relaterede produkter
goford-semiconductor

G300N04D3

MOSFET N-CH 40V 6A DFN3*3-8L

goford-semiconductor

G18N50T

MOSFET N-CH 500V 18A TO-220

goford-semiconductor

G030N06T

MOSFET N-CH 60V 223A TO-220

goford-semiconductor

GT400P10T

MOSFET P-CH 100V 35A TO-220