Producentens produktnummer:
R6030JNZ4C13
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Delnummer:
R6030JNZ4C13-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247G
Lager:
522 Stk Nye Originaler På Lager
13525632
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
R6030JNZ4C13 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
ROHM Semiconductor
Emballage
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
600 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
143mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
7V @ 5.5mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
74 nC @ 15 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
2500 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
370W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-247G
Pakke / etui
TO-247-3
Basis produktnummer
R6030
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
30
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
RF4E070GNTR
MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
RQ3E160ADTB
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
RSY160P05TL
MOSFET P-CH 45V 16A TCPT3
