Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
Frankrig
Spanien
Tyrkiet
Moldova
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakiet
ltaly
Finland
Russisk
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Holland
Sverige
Montenegro
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Rumænien
Østrig
Belgien
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Congo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Angola
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
R6009KNX
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Delnummer:
R6009KNX-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220FM
Lager:
RFQ Online
13526049
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
R6009KNX Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
ROHM Semiconductor
Emballage
Bulk
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
600 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
535mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 1mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
540 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
48W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220FM
Pakke / etui
TO-220-3 Full Pack
Basis produktnummer
R6009
Datablad og dokumenter
Datablade
R6009KNX
Yderligere Information
Standard pakke
500
Andre navne
R6009KNXCT
R6009KNXDKR
R6009KNXCT-ND
R6009KNXCTINACTIVE
R6009KNXDKR-ND
R6009KNXDKRINACTIVE
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
TK560A65Y,S4X
FREMSTILLER
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILGÆNGELIGT
5
DELE NUMMER
TK560A65Y,S4X-DG
ENHEDSPRIS
0.60
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DELENUMMER
IPAW60R600P7SXKSA1
FREMSTILLER
Infineon Technologies
ANTAL TILGÆNGELIGT
1
DELE NUMMER
IPAW60R600P7SXKSA1-DG
ENHEDSPRIS
0.94
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
Relaterede produkter
R5207ANDTL
MOSFET N-CH 525V 7A CPT3
RQ3P300BETB1
MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
QS6U22TR
MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6
R5009FNJTL
MOSFET N-CH 500V 9A LPTS