Producentens produktnummer:
R6006KNXC7G
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Delnummer:
R6006KNXC7G-DG
Beskrivelse:
600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 600 V 6A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Lager:
987 Stk Nye Originaler På Lager
12997424
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
R6006KNXC7G Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
ROHM Semiconductor
Emballage
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
600 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
830mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5.5V @ 1mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
40W (Tc)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220FM
Pakke / etui
TO-220-3 Full Pack
Basis produktnummer
R6006
Yderligere Information
Standard pakke
50
Andre navne
846-R6006KNXC7G
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
PH4030DLAX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
R6024ENXC7G
600V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
PJS6421-AU_S1_000A1
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M