Producentens produktnummer:
EMF4T2R
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Delnummer:
EMF4T2R-DG
Beskrivelse:
TRANS DIGITAL BJT NPN/PNP 12V 10
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
Lager:
13003676
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
EMF4T2R Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Bipolære Transistor Arrays, Forud-Biaseret
Producent
ROHM Semiconductor
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100mA, 500mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50V, 12V
Modstand - Base (R1)
2.2kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
2.2kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
20 @ 20mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
500nA, 100nA (ICBO)
Frekvens - Overgang
250MHz, 260MHz
Effekt - Maks.
150mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SOT-563, SOT-666
Pakke med leverandørenheder
EMT6
Basis produktnummer
EMF4
Yderligere Information
Standard pakke
8,000
Andre navne
846-EMF4T2RTR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
DIGI-certificering
Relaterede produkter
EMF18T2R
TRANS DIGITAL BJT NPN/PNP 50V 10
PUMD13/1F
PUMD13 - Small Signal Bipolar Tr
PBLS1504V,115
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
