Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
Frankrig
Spanien
Tyrkiet
Moldova
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakiet
ltaly
Finland
Russisk
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Holland
Sverige
Montenegro
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Rumænien
Østrig
Belgien
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Congo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Angola
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
EMD30T2R
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Delnummer:
EMD30T2R-DG
Beskrivelse:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN 50V, 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
Lager:
RFQ Online
12818177
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
EMD30T2R Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Bipolære Transistor Arrays, Forud-Biaseret
Producent
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Not For New Designs
Transistor Type
1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
200mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50V, 30V
Modstand - Base (R1)
10kOhms, 1kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
10kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
500nA
Frekvens - Overgang
260MHz
Effekt - Maks.
150mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SOT-563, SOT-666
Pakke med leverandørenheder
EMT6
Basis produktnummer
EMD30
Datablad og dokumenter
Datablade
EMD30T2R
Yderligere Information
Standard pakke
8,000
Andre navne
846-EMD30T2RTR
EMD30T2RCT
EMD30T2R-DG
EMD30T2RTR
EMD30T2RDKR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
UMD3NFHATR
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
PBLS4004V,115
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
UMH11N-TP
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363
UMG3N-TP
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT353