Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
DR Congo
Argentina
Tyrkiet
Rumænien
Litauen
Norge
Østrig
Angola
Slovakiet
ltaly
Finland
Belarus
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Montenegro
Russisk
Belgien
Sverige
Serbien
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Moldova
Tyskland
Holland
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankrig
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Portugal
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
EMD29T2R
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Delnummer:
EMD29T2R-DG
Beskrivelse:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 120mW Surface Mount EMT6
Lager:
1806 Stk Nye Originaler På Lager
13523144
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
EMD29T2R Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Bipolære Transistor Arrays, Forud-Biaseret
Producent
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100mA, 500mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50V, 12V
Modstand - Base (R1)
1kOhms, 10kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
10kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
500nA
Frekvens - Overgang
250MHz, 260MHz
Effekt - Maks.
120mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SOT-563, SOT-666
Pakke med leverandørenheder
EMT6
Basis produktnummer
EMD29
Datablad og dokumenter
Datablade
EMD29T2R
Design ressourcer
EMT6 Inner Structure
Dokumenter om pålidelighed
EMT6 DTR Reliability Test
Yderligere Information
Standard pakke
8,000
Andre navne
Q3614586
EMD29T2R-ND
EMD29T2RCT
EMD29T2RTR
EMD29T2RDKR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
EMD2T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMA4T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
EMG4T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
EMD6T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6