Producentens produktnummer:
EMA3T2R
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Delnummer:
EMA3T2R-DG
Beskrivelse:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Lager:
13523929
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
EMA3T2R Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Bipolære Transistor Arrays, Forud-Biaseret
Producent
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50V
Modstand - Base (R1)
4.7kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
-
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
100 @ 1mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
500nA (ICBO)
Frekvens - Overgang
250MHz
Effekt - Maks.
150mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Pakke med leverandørenheder
EMT5
Basis produktnummer
EMA3T2
Datablad og dokumenter
Design ressourcer
Dokumenter om pålidelighed
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
8,000
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
RN2710JE(TE85L,F)
FREMSTILLER
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILGÆNGELIGT
3611
DELE NUMMER
RN2710JE(TE85L,F)-DG
ENHEDSPRIS
0.05
ERSTATNINGSTYPE
Direct
DIGI-certificering
Relaterede produkter
EMD4T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMG8T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
EMB11FHAT2R
TRANS 2PNP 100MA EMT6
