2SC2619FCTL-E
Producentens produktnummer:

2SC2619FCTL-E

Product Overview

Producent:

Renesas Electronics Corporation

Delnummer:

2SC2619FCTL-E-DG

Beskrivelse:

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 230MHz 150 mW Surface Mount 3-MPAK

Lager:

27000 Stk Nye Originaler På Lager
12946063
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

2SC2619FCTL-E Tekniske specifikationer

Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
Renesas Electronics Corporation
Emballage
Bulk
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100 mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
30 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
1.1V @ 1mA, 10mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
500nA (ICBO)
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
60 @ 2mA, 12V
Effekt - Maks.
150 mW
Frekvens - Overgang
230MHz
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C
Grad
-
Kvalifikation
-
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakke med leverandørenheder
3-MPAK

Datablad og dokumenter

Datablade
2SC2619FCTL-E Datasheet

Yderligere Information

Standard pakke
1,803
Andre navne
RENRNS2SC2619FCTL-E
2156-2SC2619FCTL-E

Miljø- og eksportklassificering

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
nxp-semiconductors

BC869-16115

NOW NEXPERIA BC869-16 - SMALL SI

sanyo

CPH3109-TL-E

PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA

fairchild-semiconductor

2SC3651-TD-E

2SC3651 - NPN EPITAXIAL PLANAR S

sanyo

2SD1803S-E

NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA