Producentens produktnummer:

QJD1210011

Product Overview

Producent:

Powerex Inc.

Delnummer:

QJD1210011-DG

Beskrivelse:

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE

Detaljeret Beskrivelse:

Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 900W Chassis Mount Module

Lager:

RFQ Online

12840375

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

QJD1210011 Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays

Producent

Powerex

Emballage

-

Serie

-

Produkt status

Discontinued at Digi-Key

Teknologi

Silicon Carbide (SiC)

Konfiguration

2 N-Channel (Dual)

FET-funktion

-

Afløb til kildespænding (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 100A, 20V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

5V @ 10mA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

500nC @ 20V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

10200pF @ 800V

Effekt - Maks.

900W

Driftstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Monteringstype

Chassis Mount

Pakke / etui

Module

Pakke med leverandørenheder

Module

Basis produktnummer

QJD1210

Datablad og dokumenter

Datasheets

HTML datablade

Datablade

QJD1210011 Preliminary Datasheet Full SiC & Hybride SiC IGBTs Brief

Yderligere Information

Standard pakke

1

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

onsemi

NTJD5121NT1G

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

onsemi

NTLJD2104PTAG

MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN

onsemi

FDS8958

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC

onsemi

HUFA76413DK8T

MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC