QJD1210011
Producentens produktnummer:

QJD1210011

Product Overview

Producent:

Powerex Inc.

Delnummer:

QJD1210011-DG

Beskrivelse:

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 900W Chassis Mount Module

Lager:

12840375
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
WpiH
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

QJD1210011 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
Powerex
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Discontinued at Digi-Key
Teknologi
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
-
Afløb til kildespænding (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 10mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
500nC @ 20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
10200pF @ 800V
Effekt - Maks.
900W
Driftstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Chassis Mount
Pakke / etui
Module
Pakke med leverandørenheder
Module
Basis produktnummer
QJD1210

Datablad og dokumenter

Yderligere Information

Standard pakke
1

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
onsemi

NTJD5121NT1G

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88

onsemi

NTLJD2104PTAG

MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN

onsemi

FDS8958

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC

onsemi

HUFA76413DK8T

MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8SOIC