Producentens produktnummer:
SI4532DY
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
SI4532DY-DG
Beskrivelse:
MOSFET N/P-CH 30V 3.9A 8SOIC
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 30V 3.9A, 3.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Lager:
25774 Stk Nye Originaler På Lager
12858843
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
SI4532DY Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-funktion
-
Afløb til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
3.9A, 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
15nC @ 10V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
235pF @ 10V
Effekt - Maks.
900mW
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakke med leverandørenheder
8-SOIC
Basis produktnummer
SI4532
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Andre navne
SI4532DYDKR
SI4532DY-DG
SI4532DYTR
SI4532DYCT
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
NTLUD3191PZTBG
MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
NTLUD3A50PZTBG
MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 6UDFN
NTHD5905T1
MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET
