NXV08B800DT1
Producentens produktnummer:

NXV08B800DT1

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

NXV08B800DT1-DG

Beskrivelse:

MOSFET 80V APM17-MDC
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 80V Through Hole APM17-MDC

Lager:

12994117
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

NXV08B800DT1 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
FET-funktion
-
Afløb til kildespænding (Vdss)
80V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.46mOhm @ 160A, 12V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.6V @ 1mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
502nC @ 12V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
30150pF @ 40V
Effekt - Maks.
-
Driftstemperatur
-40°C ~ 125°C (TA)
Grad
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
Pakke med leverandørenheder
APM17-MDC
Basis produktnummer
NXV08

Datablad og dokumenter

Datablade
Datasheets
HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke
10
Andre navne
488-NXV08B800DT1

Miljø- og eksportklassificering

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-certificering
Relaterede produkter
goford-semiconductor

G120P03S2

MOSFET 30V 16A 8SOP

sanken

SMA5113

MOSFET 4N-CH 450V 7A 12SIP

diodes

DMN61D9UDW-13-50

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

micro-commercial-components

BSS138BKDW-TPQ2

MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363