Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
Frankrig
Spanien
Tyrkiet
Moldova
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakiet
ltaly
Finland
Russisk
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Holland
Sverige
Montenegro
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Rumænien
Østrig
Belgien
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Congo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Angola
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
NXV08B800DT1
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
NXV08B800DT1-DG
Beskrivelse:
MOSFET 80V APM17-MDC
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 80V Through Hole APM17-MDC
Lager:
RFQ Online
12994117
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
NXV08B800DT1 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
FET-funktion
-
Afløb til kildespænding (Vdss)
80V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.46mOhm @ 160A, 12V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.6V @ 1mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
502nC @ 12V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
30150pF @ 40V
Effekt - Maks.
-
Driftstemperatur
-40°C ~ 125°C (TA)
Grad
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
17-PowerDIP Module (1.390", 35.30mm)
Pakke med leverandørenheder
APM17-MDC
Basis produktnummer
NXV08
Datablad og dokumenter
Datablade
NXV08B800DT1
Datasheets
NXV08B800DT1
HTML datablade
NXV08B800DT1-DG
Yderligere Information
Standard pakke
10
Andre navne
488-NXV08B800DT1
Miljø- og eksportklassificering
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-certificering
Relaterede produkter
G120P03S2
MOSFET 30V 16A 8SOP
SMA5113
MOSFET 4N-CH 450V 7A 12SIP
DMN61D9UDW-13-50
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
BSS138BKDW-TPQ2
MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363