Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
DR Congo
Argentina
Tyrkiet
Rumænien
Litauen
Norge
Østrig
Angola
Slovakiet
ltaly
Finland
Belarus
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Montenegro
Russisk
Belgien
Sverige
Serbien
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Moldova
Tyskland
Holland
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankrig
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Portugal
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
NXH010P120MNF1PNG
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
NXH010P120MNF1PNG-DG
Beskrivelse:
SIC 2N-CH 1200V 114A
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 114A (Tc) 250W (Tj) Chassis Mount
Lager:
RFQ Online
12973308
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
NXH010P120MNF1PNG Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
onsemi
Emballage
Tray
Serie
-
Produkt status
Active
Teknologi
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
-
Afløb til kildespænding (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.3V @ 40mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
454nC @ 20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
4707pF @ 800V
Effekt - Maks.
250W (Tj)
Driftstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Chassis Mount
Pakke / etui
Module
Pakke med leverandørenheder
-
Basis produktnummer
NXH010
Datablad og dokumenter
Datablade
NXH010P120MNF1P
Datasheets
NXH010P120MNF1PNG
HTML datablade
NXH010P120MNF1PNG-DG
Yderligere Information
Standard pakke
28
Andre navne
488-NXH010P120MNF1PNG
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
PJL9824_R2_00001
MOSFET 2N-CH 40V 13A 8SOP
PJT7812_R1_00001
MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT363
PJQ5846-AU_R2_000A1
MOSFET 2N-CH 40V 9.5A/40A 8DFN
NXH010P120MNF1PTNG
SIC 2N-CH 1200V 114A