Producentens produktnummer:
NVBG022N120M3S
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
NVBG022N120M3S-DG
Beskrivelse:
SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 1200 V 58A (Tc) 234W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Lager:
12991777
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
NVBG022N120M3S Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
1200 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.4V @ 20mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
148 nC @ 18 V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
3200 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
234W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
D2PAK-7
Pakke / etui
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Basis produktnummer
NVBG022
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
800
Andre navne
488-NVBG022N120M3STR
488-NVBG022N120M3SCT
488-NVBG022N120M3SDKR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
NVH4L060N065SC1
SIC MOS TO247-4L 650V
IXTT220N20X4HV
MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO268HV
SQA300CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
