Producentens produktnummer:
NTZD5110NT1G
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
NTZD5110NT1G-DG
Beskrivelse:
MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 60V 294mA 250mW Surface Mount SOT-563
Lager:
21588 Stk Nye Originaler På Lager
12918378
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
NTZD5110NT1G Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Afløb til kildespænding (Vdss)
60V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
294mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
24.5pF @ 20V
Effekt - Maks.
250mW
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SOT-563, SOT-666
Pakke med leverandørenheder
SOT-563
Basis produktnummer
NTZD5110
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
4,000
Andre navne
ONSONSNTZD5110NT1G
2156-NTZD5110NT1G-OS
NTZD5110NT1GOSTR
NTZD5110NT1G-DG
NTZD5110NT1GOSCT
NTZD5110NT1GOSDKR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
SQJ963EP-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
SQJ844AEP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
SQJB68EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 100V 11A PPAK SO8
