NTMS10P02R2G
Producentens produktnummer:

NTMS10P02R2G

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

NTMS10P02R2G-DG

Beskrivelse:

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Detaljeret Beskrivelse:
P-Channel 20 V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Lager:

2644 Stk Nye Originaler På Lager
12857001
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

NTMS10P02R2G Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
20 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
70 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±12V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
3640 pF @ 16 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
1.6W (Ta)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
8-SOIC
Pakke / etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis produktnummer
NTMS10

Datablad og dokumenter

Datablade
Datasheets
HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke
2,500
Andre navne
NTMS10P02R2GOSCT
2156-NTMS10P02R2G-OS
2832-NTMS10P02R2GTR
NTMS10P02R2GOS
NTMS10P02R2GOSDKR
NTMS10P02R2GOSTR
=NTMS10P02R2GOSCT-DG
NTMS10P02R2GOS-DG
ONSONSNTMS10P02R2G

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
onsemi

RFD16N05LSM

MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA

renesas-electronics-america

UPA2825T1S-E2-AT

MOSFET N-CH 30V 8HVSON

onsemi

NVTFS4C06NWFTAG

MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN