Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
Frankrig
Spanien
Tyrkiet
Moldova
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakiet
ltaly
Finland
Russisk
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Holland
Sverige
Montenegro
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Rumænien
Østrig
Belgien
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Congo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Angola
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
NTHC5513T1G
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
NTHC5513T1G-DG
Beskrivelse:
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 20V 2.9A, 2.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Lager:
RFQ Online
12855870
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
NTHC5513T1G Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-funktion
Logic Level Gate
Afløb til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
2.9A, 2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
180pF @ 10V
Effekt - Maks.
1.1W
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
8-SMD, Flat Lead
Pakke med leverandørenheder
ChipFET™
Basis produktnummer
NTHC5513
Datablad og dokumenter
Datablade
NTHC5513
Datasheets
NTHC5513T1G
HTML datablade
NTHC5513T1G-DG
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
NTHC5513T1GOS-DG
NTHC5513T1GOS
ONSNTHC5513T1G
=NTHC5513T1GOSCT-DG
2832-NTHC5513T1G
NTHC5513T1GOSTR
NTHC5513T1GOSDKR
NTHC5513T1GOSCT
2156-NTHC5513T1G-OS
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
NTMFD5C446NLT1G
MOSFET 2N-CH 40V 25A/145A 8DFN
NVMFD5C466NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 40V 14A/52A 8DFN
NVMFD5C446NT1G
MOSFET 2N-CH 40V 24A/127A 8DFN
USB10H
MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6