NTD4909N-1G

Producentens produktnummer:

NTD4909N-1G

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

NTD4909N-1G-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK

Detaljeret Beskrivelse:

N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 41A (Tc) 1.37W (Ta), 29.4W (Tc) Through Hole I-PAK

Lager:

RFQ Online

12847748

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

NTD4909N-1G Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

onsemi

Emballage

-

Serie

-

Produkt status

Obsolete

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

30 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

8.8A (Ta), 41A (Tc)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

17.5 nC @ 10 V

Vgs (maks.)

±20V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

1314 pF @ 15 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

1.37W (Ta), 29.4W (Tc)

Driftstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Monteringstype

Through Hole

Pakke med leverandørenheder

I-PAK

Pakke / etui

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Basis produktnummer

NTD49

Datablad og dokumenter

Datablade

Datasheets

HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke

75

Andre navne

2156-NTD4909N-1G-ON

ONSONSNTD4909N-1G

Miljø- og eksportklassificering

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

onsemi

FDS2582

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC

onsemi

FCD4N60TM_WS

MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

onsemi

NTD4906NT4G

MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A DPAK

onsemi

NVMFS6B14NLWFT3G

MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN