NTD4809N-1G

Producentens produktnummer:

NTD4809N-1G

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

NTD4809N-1G-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK

Detaljeret Beskrivelse:

N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.4W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-PAK

Lager:

RFQ Online

12858581

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

NTD4809N-1G Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

onsemi

Emballage

-

Serie

-

Produkt status

Obsolete

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

30 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

9.6A (Ta), 58A (Tc)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

4.5V, 11.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

13 nC @ 4.5 V

Vgs (maks.)

±20V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

1456 pF @ 12 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

1.4W (Ta), 52W (Tc)

Driftstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Monteringstype

Through Hole

Pakke med leverandørenheder

I-PAK

Pakke / etui

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Basis produktnummer

NTD48

Datablad og dokumenter

Datasheets

HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke

75

Andre navne

ONSONSNTD4809N-1G

2156-NTD4809N-1G-ON

Miljø- og eksportklassificering

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

onsemi

NVMTS0D4N04CLTXG

MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW

renesas-electronics-america

2SK3484-AZ

MOSFET N-CH 100V 16A TO251

renesas-electronics-america

2SK3431-AZ

MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB

onsemi

NTMFS4983NFT3G

MOSFET N-CH 30V 22A/106A 5DFN