NTD3813N-1G

Producentens produktnummer:

NTD3813N-1G

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

NTD3813N-1G-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK

Detaljeret Beskrivelse:

N-Channel 16 V 9.6A (Ta), 51A (Tc) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc) Through Hole IPAK

Lager:

RFQ Online

12858978

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

NTD3813N-1G Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

onsemi

Emballage

-

Serie

-

Produkt status

Obsolete

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

16 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

9.6A (Ta), 51A (Tc)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.75mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

12.8 nC @ 4.5 V

Vgs (maks.)

±16V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

963 pF @ 12 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

1.2W (Ta), 34.9W (Tc)

Driftstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Monteringstype

Through Hole

Pakke med leverandørenheder

IPAK

Pakke / etui

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Basis produktnummer

NTD38

Datablad og dokumenter

Datablade

Datasheets

HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke

75

Andre navne

2156-NTD3813N-1G-ON

ONSONSNTD3813N-1G

Miljø- og eksportklassificering

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

onsemi

NTD18N06L-001

MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

vishay-siliconix

IRF840

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

infineon-technologies

IPP076N15N5AKSA1

MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3

onsemi

NTD6600N

MOSFET N-CH 100V 12A DPAK