NTBGS1D5N06C
Producentens produktnummer:

NTBGS1D5N06C

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

NTBGS1D5N06C-DG

Beskrivelse:

POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 60 V 35A (Ta), 267A (Tc) 3.7W (Ta), 211W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Lager:

300 Stk Nye Originaler På Lager
12988626
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

NTBGS1D5N06C Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Last Time Buy
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
60 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
35A (Ta), 267A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V, 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.55mOhm @ 64A, 12V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 318µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
78.6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
6250 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
3.7W (Ta), 211W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
TO-263 (D2PAK)
Pakke / etui
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

Datablad og dokumenter

Datablade
Datasheets
HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke
800
Andre navne
488-NTBGS1D5N06CCT
488-NTBGS1D5N06CTR
488-NTBGS1D5N06CDKR

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
taiwan-semiconductor

BSS84W RFG

-60, -0.14, SINGLE P-CHANNEL

toshiba-semiconductor-and-storage

TK12P50W,RQ

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA

anbon-semiconductor

BSS123

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH2R903PL,L1Q

PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-AD