NTBG022N120M3S
Producentens produktnummer:

NTBG022N120M3S

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

NTBG022N120M3S-DG

Beskrivelse:

SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 1200 V 72A (Tc) 234W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

Lager:

698 Stk Nye Originaler På Lager
13001741
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

NTBG022N120M3S Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
1200 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
72A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.4V @ 20mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
142 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+22V, -10V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
3175 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
234W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
D2PAK-7
Pakke / etui
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Basis produktnummer
NTBG022

Datablad og dokumenter

Datablade
Datasheets
HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke
800
Andre navne
488-NTBG022N120M3STR
488-NTBG022N120M3SDKR
488-NTBG022N120M3SCT

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
nexperia

PMPB14R8XNX

SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL

infineon-technologies

IPA95R450PFD7XKSA1

MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3

rohm-semi

R6055VNXC7G

600V 23A TO-220FM, PRESTOMOS WIT

goford-semiconductor

G2002A

N200V, 2A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.