Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
Frankrig
Spanien
Tyrkiet
Moldova
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakiet
ltaly
Finland
Russisk
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Holland
Sverige
Montenegro
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Rumænien
Østrig
Belgien
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Congo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Angola
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
NSBC123JDP6T5G
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
NSBC123JDP6T5G-DG
Beskrivelse:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963
Lager:
RFQ Online
12929652
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
NSBC123JDP6T5G Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Bipolære Transistor Arrays, Forud-Biaseret
Producent
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50V
Modstand - Base (R1)
2.2kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
47kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
80 @ 5mA, 10V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
500nA
Frekvens - Overgang
-
Effekt - Maks.
339mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SOT-963
Pakke med leverandørenheder
SOT-963
Basis produktnummer
NSBC123
Datablad og dokumenter
Datablade
MUN5235DW1, NSBC123JDXV6, NSBC123JDP6
Datasheets
NSBC123JDP6T5G
HTML datablade
NSBC123JDP6T5G-DG
Yderligere Information
Standard pakke
8,000
Andre navne
NSBC123JDP6T5G-DG
488-NSBC123JDP6T5GDKR
ONSONSNSBC123JDP6T5G
488-NSBC123JDP6T5GCT
2156-NSBC123JDP6T5G-OS
488-NSBC123JDP6T5GTR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
DMC564020R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI6
MUN5233DW1T1G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
NSVMUN5235DW1T1G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
MUN5115DW1T1G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88