Producentens produktnummer:
NDS9952A-F011
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
NDS9952A-F011-DG
Beskrivelse:
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 30V 2.9A 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Lager:
12958363
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
NDS9952A-F011 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-funktion
-
Afløb til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.8V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
27nC @ 10V, 5nC @ 10V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
320pF @ 10V
Effekt - Maks.
900mW (Ta)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakke med leverandørenheder
8-SOIC
Basis produktnummer
NDS995
Datablad og dokumenter
Datasheets
HTML datablade
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Andre navne
488-NDS9952A-F011TR
2832-NDS9952A-F011TR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
MCQ6005-TP
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
MCQD05N06-TP
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
MSCSM120HM083CAG
SIC MOSFET
