NDS352AP

Producentens produktnummer:

NDS352AP

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

NDS352AP-DG

Beskrivelse:

MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3

Detaljeret Beskrivelse:

P-Channel 30 V 900mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Lager:

6204 Stk Nye Originaler På Lager

12857896

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

NDS352AP Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

onsemi

Emballage

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Produkt status

Active

FET-type

P-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

30 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

900mA (Ta)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

3 nC @ 4.5 V

Vgs (maks.)

±20V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

135 pF @ 15 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

500mW (Ta)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke med leverandørenheder

SOT-23-3

Pakke / etui

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Basis produktnummer

NDS352

Datablad og dokumenter

Datablade

Datasheets

HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke

3,000

Andre navne

NDS352AP-DG

NDS352APTR-NDR

NDS352APCT-NDR

NDS352APDKR

NDS352APTR

NDS352APCT

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

renesas-electronics-america

RJK2006DPE-00#J3

MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK

onsemi

NVJS4151PT1G

MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88

onsemi

NTD20N06T4

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

onsemi

NTD5867NLT4G

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK