NDS352AP
Producentens produktnummer:

NDS352AP

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

NDS352AP-DG

Beskrivelse:

MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Detaljeret Beskrivelse:
P-Channel 30 V 900mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Lager:

6204 Stk Nye Originaler På Lager
12857896
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

NDS352AP Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
30 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
900mA (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
3 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
135 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
500mW (Ta)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
SOT-23-3
Pakke / etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis produktnummer
NDS352

Datablad og dokumenter

Datablade
Datasheets
HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke
3,000
Andre navne
NDS352AP-DG
NDS352APTR-NDR
NDS352APCT-NDR
NDS352APDKR
NDS352APTR
NDS352APCT

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
renesas-electronics-america

RJK2006DPE-00#J3

MOSFET N-CH 200V 40A 4LDPAK

onsemi

NVJS4151PT1G

MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88

onsemi

NTD20N06T4

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

onsemi

NTD5867NLT4G

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK