Producentens produktnummer:
MJE5731G
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
MJE5731G-DG
Beskrivelse:
TRANS PNP 350V 1A TO220
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 350 V 1 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220
Lager:
375 Stk Nye Originaler På Lager
12853165
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
MJE5731G Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
onsemi
Emballage
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
PNP
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
1 A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
350 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
1V @ 200mA, 1A
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
1mA
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
30 @ 300mA, 10V
Effekt - Maks.
40 W
Frekvens - Overgang
10MHz
Driftstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-220-3
Pakke med leverandørenheder
TO-220
Basis produktnummer
MJE5731
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
50
Andre navne
MJE5731G-DG
MJE5731GOS
2832-MJE5731G
ONSMJE5731G
2156-MJE5731G-OS
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
BC 846A E6433
TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23
KST3904MTF
TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3
MJE181G
TRANS NPN 60V 3A TO126
