MJD112G
Producentens produktnummer:

MJD112G

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

MJD112G-DG

Beskrivelse:

TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK

Lager:

409 Stk Nye Originaler På Lager
12851187
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

MJD112G Tekniske specifikationer

Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
onsemi
Emballage
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN - Darlington
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
2 A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
100 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
3V @ 40mA, 4A
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
20µA
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
1000 @ 2A, 3V
Effekt - Maks.
1.75 W
Frekvens - Overgang
25MHz
Driftstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pakke med leverandørenheder
DPAK
Basis produktnummer
MJD112

Datablad og dokumenter

Datablade
MJD112,117
Datasheets
MJD112G
HTML datablade
MJD112G-DG

Yderligere Information

Standard pakke
75
Andre navne
2156-MJD112G-OS
MJD112G-DG
ONSONSMJD112G
MJD112GOS
2832-MJD112G

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
onsemi

KSA1010YTU

TRANS PNP 100V 7A TO220-3

onsemi

BD681S

TRANS NPN DARL 100V 4A TO126-3

onsemi

MMBT3906

BJT SOT23 40V PNP 0.25W 150C

onsemi

BC548TA

TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3