Producentens produktnummer:
MJD112-1G
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
MJD112-1G-DG
Beskrivelse:
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Through Hole I-PAK
Lager:
153 Stk Nye Originaler På Lager
12853107
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
MJD112-1G Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
onsemi
Emballage
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN - Darlington
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
2 A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
100 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
3V @ 40mA, 4A
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
20µA
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
1000 @ 2A, 3V
Effekt - Maks.
1.75 W
Frekvens - Overgang
25MHz
Driftstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pakke med leverandørenheder
I-PAK
Basis produktnummer
MJD112
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
75
Andre navne
ONSONSMJD112-1G
MJD1121G
=MJD112
MJD112-1GOS
2156-MJD112-1G-OS
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
MJE182G
TRANS NPN 80V 3A TO126
KSC5402DTTU
TRANS NPN 450V 2A TO220-3
MMBTA55LT1G
TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
