Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
Frankrig
Spanien
Tyrkiet
Moldova
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakiet
ltaly
Finland
Russisk
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Holland
Sverige
Montenegro
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Rumænien
Østrig
Belgien
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Congo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Angola
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
MJD112-1G
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
MJD112-1G-DG
Beskrivelse:
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Through Hole I-PAK
Lager:
153 Stk Nye Originaler På Lager
12853107
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
MJD112-1G Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
onsemi
Emballage
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN - Darlington
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
2 A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
100 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
3V @ 40mA, 4A
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
20µA
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
1000 @ 2A, 3V
Effekt - Maks.
1.75 W
Frekvens - Overgang
25MHz
Driftstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pakke med leverandørenheder
I-PAK
Basis produktnummer
MJD112
Datablad og dokumenter
Datablade
MJD112,117
Datasheets
MJD112-1G
HTML datablade
MJD112-1G-DG
Yderligere Information
Standard pakke
75
Andre navne
ONSONSMJD112-1G
MJD1121G
=MJD112
MJD112-1GOS
2156-MJD112-1G-OS
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
MJE182G
TRANS NPN 80V 3A TO126
KSC5402DTTU
TRANS NPN 450V 2A TO220-3
MMBTA55LT1G
TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
MSA1162GT1G
TRANS PNP 50V 0.1A SC59