MJ11029G
Producentens produktnummer:

MJ11029G

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

MJ11029G-DG

Beskrivelse:

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 50A, 6
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 50 A 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)

Lager:

350 Stk Nye Originaler På Lager
12968022
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

MJ11029G Tekniske specifikationer

Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
onsemi
Emballage
Bulk
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
PNP - Darlington
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
50 A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
60 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
3.5V @ 500mA, 50A
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
2mA
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
1000 @ 25A, 5V
Effekt - Maks.
300 W
Frekvens - Overgang
-
Driftstemperatur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-204AE
Pakke med leverandørenheder
TO-204 (TO-3)

Datablad og dokumenter

Yderligere Information

Standard pakke
116
Andre navne
2156-MJ11029G-488

Miljø- og eksportklassificering

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
Vendor Undefined
REACH-status
REACH Unaffected
DIGI-certificering
Relaterede produkter
sanyo

2SC3458L

2SC3458 - NPN TRIPLE DIFFUSED PL

fairchild-semiconductor

SS9014CBU

TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3

renesas-electronics-america

RJP63K2DPK-M2#T0

DISCTRETE / POWER TRANSISTOR

nxp-semiconductors

PMBT2907A,215

NEXPERIA PMBT2907A - SMALL SIGNA