IRLI510ATU
Producentens produktnummer:

IRLI510ATU

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

IRLI510ATU-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 3.8W (Ta), 37W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Lager:

12919842
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

IRLI510ATU Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
440mOhm @ 2.8A, 5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
8 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
235 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
3.8W (Ta), 37W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-262 (I2PAK)
Pakke / etui
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis produktnummer
IRLI51

Yderligere Information

Standard pakke
1,000

Miljø- og eksportklassificering

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
onsemi

NTTFS6H850NTAG

MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN

nexperia

PSMN2R8-80BS,118

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

vishay-siliconix

SIHP22N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB

vishay-siliconix

SIE868DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK