Producentens produktnummer:
HUF76629D3
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
HUF76629D3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK
Lager:
12851449
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
HUF76629D3 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
UltraFET™
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±16V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1285 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
110W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
IPAK
Pakke / etui
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis produktnummer
HUF76
Datablad og dokumenter
Datasheets
HTML datablade
Yderligere Information
Standard pakke
1,800
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FDS6689S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
FDG410NZ
MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
FDU5N60NZTU
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK3
