Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
Frankrig
Spanien
Tyrkiet
Moldova
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakiet
ltaly
Finland
Russisk
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Holland
Sverige
Montenegro
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Rumænien
Østrig
Belgien
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Congo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Angola
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
FQS4900TF
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FQS4900TF-DG
Beskrivelse:
MOSFET N/P-CH 60V 1.3A 8SOIC
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 60V, 300V 1.3A, 300mA 2W Surface Mount 8-SOIC
Lager:
RFQ Online
12849949
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FQS4900TF Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
QFET®
Produkt status
Obsolete
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-funktion
-
Afløb til kildespænding (Vdss)
60V, 300V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
1.3A, 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 650mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.95V @ 20mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
2.1nC @ 5V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Effekt - Maks.
2W
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakke med leverandørenheder
8-SOIC
Basis produktnummer
FQS4900
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
2832-FQS4900TF-488
FQS4900TFDKR
2832-FQS4900TFTR
FQS4900TFTR
FQS4900TF-DG
FQS4900TFCT
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FDMS001N025DSD
MOSFET 2N-CH 25V 19A 8PQFN
FDY3001NZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.2A SOT563F
AON6974A
MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
AO4614B
MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC