FQPF3N80C

Producentens produktnummer:

FQPF3N80C

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

FQPF3N80C-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

Detaljeret Beskrivelse:

N-Channel 800 V 3A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Lager:

205 Stk Nye Originaler På Lager

12840296

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

FQPF3N80C Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

onsemi

Emballage

Tube

Serie

QFET®

Produkt status

Active

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

800 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

3A (Tc)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

5V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

16.5 nC @ 10 V

Vgs (maks.)

±30V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

705 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

39W (Tc)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Through Hole

Pakke med leverandørenheder

TO-220F-3

Pakke / etui

TO-220-3 Full Pack

Basis produktnummer

FQPF3

Datablad og dokumenter

Datablade

FQP3N80C, FQPF3N80C

Datasheets

HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke

50

Andre navne

2156-FQPF3N80C-OS

FAIFSCFQPF3N80C

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

Not Applicable

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

onsemi

NTMFS4854NST3G

MOSFET N-CH 25V 15.2A/149A SO8FL

onsemi

NDD03N60ZT4G

MOSFET N-CH 600V 2.6A DPAK

onsemi

FDU8796

MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK

onsemi

FQU5N60CTU

MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK