Producentens produktnummer:
FQP19N10L
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FQP19N10L-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 100 V 19A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
Lager:
12838940
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FQP19N10L Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
QFET®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
870 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
75W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220-3
Pakke / etui
TO-220-3
Basis produktnummer
FQP1
Datablad og dokumenter
Datasheets
HTML datablade
Yderligere Information
Standard pakke
1,000
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FQB7N65CTM
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
FDME910PZT
MOSFET P-CH 20V 8A MICROFET
FDMC86102LZ
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
