Producentens produktnummer:
FQI6N60CTU
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FQI6N60CTU-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Lager:
12837361
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FQI6N60CTU Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
QFET®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
600 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
810 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
125W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-262 (I2PAK)
Pakke / etui
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis produktnummer
FQI6
Yderligere Information
Standard pakke
1,000
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
STI4N62K3
FREMSTILLER
STMicroelectronics
ANTAL TILGÆNGELIGT
0
DELE NUMMER
STI4N62K3-DG
ENHEDSPRIS
0.46
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FDN339AN_G
MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
FDPF10N50FT
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
FCH060N80-F155
MOSFET N-CH 800V 56A TO247
