FQI4N90TU
Producentens produktnummer:

FQI4N90TU

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

FQI4N90TU-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 900 V 4.2A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Lager:

RFQ Online
12848946
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

FQI4N90TU Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
QFET®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
900 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
4.2A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-262 (I2PAK)
Pakke / etui
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis produktnummer
FQI4N90

Datablad og dokumenter

Datablade
FQI4N90TU Datasheet

Yderligere Information

Standard pakke
1,000
Andre navne
2156-FQI4N90TU-OS
ONSONSFQI4N90TU
2832-FQI4N90TU

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
onsemi

FDD8870

MOSFET N-CH 30V 21A/160A TO252AA

onsemi

FQI5N60CTU

MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOY66923

MOSFET N-CH 100V 16.5/58A TO251B

onsemi

HUF75617D3S

MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA