FQI32N20CTU

Producentens produktnummer:

FQI32N20CTU

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

FQI32N20CTU-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 200V 28A I2PAK

Detaljeret Beskrivelse:

N-Channel 200 V 28A (Tc) 3.13W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Lager:

RFQ Online

12837676

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

FQI32N20CTU Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

onsemi

Emballage

-

Serie

QFET®

Produkt status

Obsolete

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

200 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

28A (Tc)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

82mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

110 nC @ 10 V

Vgs (maks.)

±30V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

2220 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

3.13W (Ta), 156W (Tc)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Through Hole

Pakke med leverandørenheder

TO-262 (I2PAK)

Pakke / etui

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Basis produktnummer

FQI3

Datablad og dokumenter

Datasheets

HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke

50

Miljø- og eksportklassificering

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

onsemi

FDB8832-F085

MOSFET N-CH 30V 34A TO263AB

onsemi

FQB3N80TM

MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK

onsemi

FQD5N60CTM_F080

MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK

onsemi

BFL4007

MOSFET N-CH 600V 8.7A TO220FI