Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
Frankrig
Spanien
Tyrkiet
Moldova
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakiet
ltaly
Finland
Russisk
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Holland
Sverige
Montenegro
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Rumænien
Østrig
Belgien
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Congo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Angola
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
FQB7P06TM
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FQB7P06TM-DG
Beskrivelse:
MOSFET P-CH 60V 7A D2PAK
Detaljeret Beskrivelse:
P-Channel 60 V 7A (Tc) 3.75W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Lager:
RFQ Online
12849623
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FQB7P06TM Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
QFET®
Produkt status
Obsolete
FET-type
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
60 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
410mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
295 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
3.75W (Ta), 45W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
TO-263 (D2PAK)
Pakke / etui
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis produktnummer
FQB7
Datablad og dokumenter
Datasheets
FQB7P06TM
HTML datablade
FQB7P06TM-DG
Yderligere Information
Standard pakke
800
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
IRF5210STRLPBF
FREMSTILLER
Infineon Technologies
ANTAL TILGÆNGELIGT
7933
DELE NUMMER
IRF5210STRLPBF-DG
ENHEDSPRIS
1.26
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FQPF1P50
MOSFET P-CH 500V 1.03A TO220F
FDMS8672AS
MOSFET N-CH 30V 18A/28A 8PQFN
AO4449
MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
FQT13N06LTF
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4