FQB2N90TM
Producentens produktnummer:

FQB2N90TM

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

FQB2N90TM-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 900 V 2.2A (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Lager:

RFQ Online
12850425
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
ELoo
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

FQB2N90TM Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
QFET®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
900 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
500 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
3.13W (Ta), 85W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
TO-263 (D2PAK)
Pakke / etui
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis produktnummer
FQB2

Datablad og dokumenter

Datasheets
FQB2N90TM
HTML datablade
FQB2N90TM-DG

Yderligere Information

Standard pakke
800

Miljø- og eksportklassificering

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative modeller

DELENUMMER
IRF540NSTRLPBF
FREMSTILLER
Infineon Technologies
ANTAL TILGÆNGELIGT
7309
DELE NUMMER
IRF540NSTRLPBF-DG
ENHEDSPRIS
0.52
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
onsemi

FDP24N40

MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3

onsemi

FQA34N20

MOSFET N-CH 200V 34A TO3P

infineon-technologies

BSC011N03LSTATMA1

MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON

onsemi

FQAF13N80

MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF