Producentens produktnummer:
FQB13N10LTM
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FQB13N10LTM-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 100 V 12.8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Lager:
12838741
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FQB13N10LTM Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
QFET®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
12.8A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
520 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
3.75W (Ta), 65W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
TO-263 (D2PAK)
Pakke / etui
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis produktnummer
FQB1
Yderligere Information
Standard pakke
800
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FDB045AN08A0-F085
MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
FDB3672-F085
MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
FQPF7N80
MOSFET N-CH 800V 3.8A TO220F
