Producentens produktnummer:
FQAF11N90
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FQAF11N90-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PF
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 900 V 7.2A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Lager:
12921426
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FQAF11N90 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
QFET®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
900 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
960mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
3500 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
120W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-3PF
Pakke / etui
TO-3P-3 Full Pack
Basis produktnummer
FQAF1
Datablad og dokumenter
Datasheets
HTML datablade
Yderligere Information
Standard pakke
360
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
SIR168DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
DI9952T
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
SIHA18N60E-E3
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
