Producentens produktnummer:
FQA8N80C
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FQA8N80C-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 800V 8.4A TO3P
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 800 V 8.4A (Tc) 220W (Tc) Through Hole TO-3P
Lager:
12849937
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FQA8N80C Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
QFET®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
800 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
8.4A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.55Ohm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
2050 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
220W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-3P
Pakke / etui
TO-3P-3, SC-65-3
Basis produktnummer
FQA8
Datablad og dokumenter
Datasheets
HTML datablade
Yderligere Information
Standard pakke
30
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FDD9509L-F085
MOSFET P-CH 40V 90A DPAK
FDC5614P_D87Z
MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
FDA16N50LDTU
MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
