Producentens produktnummer:
FQA7N90
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FQA7N90-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 900 V 7.4A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3P
Lager:
12837051
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FQA7N90 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
QFET®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
900 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.55Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
2280 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
198W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-3P
Pakke / etui
TO-3P-3, SC-65-3
Basis produktnummer
FQA7
Datablad og dokumenter
Datasheets
HTML datablade
Yderligere Information
Standard pakke
30
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FQD5N50CTM
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
FDZ661PZ
MOSFET P-CH 20V 2.6A 4WLCSP
BSC054N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
