Producentens produktnummer:
FQA11N90
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FQA11N90-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 900 V 11.4A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Lager:
12848779
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FQA11N90 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
QFET®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
900 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
11.4A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
960mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
3500 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
300W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-3P
Pakke / etui
TO-3P-3, SC-65-3
Basis produktnummer
FQA1
Datablad og dokumenter
Datasheets
HTML datablade
Yderligere Information
Standard pakke
30
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FDA8440
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TO3PN
NTD110N02R-001
MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK
AOWF12N60
MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
