Producentens produktnummer:
FJN3306RTA
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FJN3306RTA-DG
Beskrivelse:
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
Lager:
12846681
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FJN3306RTA Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt, Forbiaseret Bipolar Transistorer
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100 mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50 V
Modstand - Base (R1)
10 kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
47 kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
68 @ 5mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100nA (ICBO)
Frekvens - Overgang
250 MHz
Effekt - Maks.
300 mW
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Pakke med leverandørenheder
TO-92-3
Basis produktnummer
FJN330
Yderligere Information
Standard pakke
2,000
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-certificering
Relaterede produkter
DTC114TM3T5G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
MMUN2212LT1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
DTA144WET1G
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
