Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
Frankrig
Spanien
Tyrkiet
Moldova
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakiet
ltaly
Finland
Russisk
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Holland
Sverige
Montenegro
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Rumænien
Østrig
Belgien
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Congo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Angola
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
FJN3303RTA
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FJN3303RTA-DG
Beskrivelse:
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
Lager:
RFQ Online
12848037
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FJN3303RTA Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt, Forbiaseret Bipolar Transistorer
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100 mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50 V
Modstand - Base (R1)
22 kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
22 kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
56 @ 5mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100nA (ICBO)
Frekvens - Overgang
250 MHz
Effekt - Maks.
300 mW
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Pakke med leverandørenheder
TO-92-3
Basis produktnummer
FJN330
Datablad og dokumenter
Datablade
FJN3303R
Datasheets
FJN3303RTA
HTML datablade
FJN3303RTA-DG
Yderligere Information
Standard pakke
2,000
Andre navne
FJN3303RTA-DG
FJN3303RTACT
FJN3303RTATB
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative modeller
DELENUMMER
MMUN2212LT1G
FREMSTILLER
onsemi
ANTAL TILGÆNGELIGT
7095
DELE NUMMER
MMUN2212LT1G-DG
ENHEDSPRIS
0.01
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
Relaterede produkter
DRC9114E0L
TRANS PREBIAS NPN 50V SSMINI3
DRC5123E0L
TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI3
DRC2144E0L
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A MINI3
DRA9124X0L
TRANS PREBIAS PNP 50V SSMINI3